طبق گزارش جدیدی از Chosun Biz، Samsung Foundry در حال برنامه ریزی برای ادغام فناوری Backside Power Delivery Network (BSPDN) در تراشه های 2 نانومتری است. در این فناوری، خطوط برق در سمت عقب ویفر قرار میگیرند که ساخت تراشهها را در اندازههای کوچکتر (بهویژه اندازههای کوچکتر از 3 نانومتر) آسانتر میکند و در عین حال اندازه قالب را کاهش میدهد، راندمان انرژی را افزایش میدهد و عملکرد بالاتری را ارائه میدهد.
در حال حاضر خطوط برق در قسمت جلویی ویفر قرار می گیرد که همان سمتی است که مدار نیز حک شده است. قرار دادن خطوط برق در همان سمتی که مدار حک شده است، ساخت نیمه هادی ها را راحت کرده است. با این حال، با کوچک شدن اندازه، قرار دادن خطوط برق در همان سمتی که مدار حک شده است دشوار می شود زیرا انجام این کار باعث ایجاد تداخل می شود و فرآیند طراحی و ساخت را بسیار دشوار می کند.
پیادهسازی فناوری BSPDN (قرار دادن خطوط برق در سمت عقب ویفر) به حل این مشکل کمک میکند، زیرا خطوط برق و حکاکی مدار را در طرفهای مختلف ویفر قرار میدهد، تداخل را کاهش میدهد و فرآیند طراحی و ساخت را آسانتر میکند. همچنین استفاده از این فناوری باعث کاهش سایز قالب و افزایش کارایی و کارایی می شود.
بر اساس گزارش ها، Samsung Foundry فناوری BSPDN را روی دو تراشه ARM آزمایش کرده است که منجر به کاهش 10% و 19% سایز قالب این تراشه ها و بهبود عملکرد و کارایی حداکثر تا 9% شده است. این نشریه همچنین می گوید که نتایج آزمایش از اهداف عملکرد شرکت فراتر رفته است.
انتظار میرود که Samsung Foundry در سال 2025 تولید تراشههای روی فرآیند ساخت 2 نانومتری را آغاز کند. این شرکت همچنین اولین سفارش تراشههای 2 نانومتری را دریافت کرده است و همچنین انتظار میرود کوالکام از سامسونگ برای تراشههای 2 نانومتری برای SoCهای آینده خود استفاده کند.
اینتل Foundry Service نیز با تراشه های 2 نانومتری خود (Intel 20A) این رویکرد را در پیش گرفته است. این شرکت نسخه خود از این فناوری را Powervia می نامد. TSMC همچنین در حال برنامه ریزی برای اتخاذ این رویکرد با تراشه های 2 نانومتری خود است. انتظار می رود اینتل در سال جاری تولید تراشه های 2 نانومتری را آغاز کند، در حالی که انتظار می رود TSMC تولید تراشه های 2 نانومتری را در سال 2026 آغاز کند.
منبع: https://www.sammobile.com/news